彩票网站注册:N沟道、P沟道MOS管基本原理与应用案例

企业新闻 | 2021-06-22

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1、N-MOS管道与P-MOS管道的比较2、N-MOS的电源条件N-MOS管道的传导调整在G接近接近接近S的中间电压的最大阈值时,D接近S极传导。在实际使用中,控制信号接收G接近GND,S接近GND,超过N-MOS管的开、关效果,D接近S极后,传导电阻Rds(on)较大,一般为数十毫秒级,电流流动时压降较小。三、N-MOS适用于3.1电源连接保护电路。

以下是适用于此特性的电源连接保护电路。这比用在二极管上好多了。如有必要,应用于二极管。没有约0.7伏的压力降。

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建模电路如下:N-MOS管作为防止电路反转的方案,将VCC=5V的电源添加到10K电阻阻抗中,并分别测量电压表、电流表,记录值为5V,500uA是。钥匙电源转换,模拟电源反接触时测量的记录值为- 49.554mV,- 4.955uA。

3.2级转换电路Sig1、Sig2分别是两个信号端、VDD和VCC分别是3.3V和5.0V级信号的高电压。此外,允许的条件如下:1,VDD <=VCC2,Sig1的低水平阈值小于0.7V(取决于NMOS内二极管压降)。3,VGS <=VDD4,VDS <=VCC下图为Multisim。

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